<?xml version="1.0" encoding='utf-8' ?>
<nspnews type="text">
<version>v8.0</version>
<date>2026-02-13 09:05:57</date>
<action>I</action>
<registdate>2026-02-12 22:08:15</registdate>
<modifydate>2026-02-12 22:23:28</modifydate>
<publishdate>2026-02-13 09:05:50</publishdate>
<embargo>N</embargo>
<newsid>802957</newsid>
<orgid>802787</orgid>
<language>RU</language>
<category1>11</category1>
<category2>1101</category2>
<category1_name>IT/과학</category1_name>
<category2_name>IT일반/과학</category2_name>
<statusID>1</statusID>
<saleID>N</saleID>
<formatID>1</formatID>
<typeID>7</typeID>
<newsSubject><![CDATA[Samsung Electronics начала массовые поставки HBM4 — высочайшая производительность в отрасли]]></newsSubject>
<newsSummary><![CDATA[Применение 1c DRAM и 4-нм базового кристалла: повышение энергоэффективности на 40%, ожидается поставка образцов HBM4E в 2026 году]]></newsSummary>
<newsTag><![CDATA[SamsungElecs(005930),HBM4,MassProduction,TopPerformance,BeyondJEDEC]]></newsTag>
<newsLinks><![CDATA[]]></newsLinks>
<news_prolog><![CDATA[(Seoul=NSP NEWS AGENCY) =]]></news_prolog>
<news1><![CDATA[Samsung Electronics (005930) первой в мире начала массовые поставки HBM4 с отраслевой лидирующей производительностью, стремясь занять ключевые позиции на рынке HBM4.

Компания подчеркнула, что ещё на этапе разработки HBM4 были поставлены цели превзойти стандарты JEDEC. Для этого применены 1c DRAM и базовый кристалл, выполненный по 4-нм техпроцессу, что позволило с самого начала обеспечить высокий уровень выхода годных и стабильные показатели производительности.

Samsung Electronics также сообщила, что ей удалось стабильно достичь скорости работы 11,7 Гбит/с, что примерно на 46% выше стандарта JEDEC (8 Гбит/с). При этом компания отметила, что технология потенциально позволяет реализовать скорость до 13 Гбит/с.

Samsung Electronics сообщила, что пропускная способность памяти в одном стеке HBM4 достигает 3,3 ТБ/с — это примерно в 2,7 раза больше по сравнению с предыдущим поколением HBM3E и превышает требования клиентов на уровне 3,0 ТБ/с.

Компания предлагает 12-слойную компоновку, обеспечивающую объём от 24 до 36 ГБ, и планирует расширить ёмкость до 48 ГБ при применении 16-слойной компоновки в соответствии с графиком заказчиков.

Для решения проблем энергопотребления и тепловыделения, связанных с увеличением числа выводов I/O, Samsung применила низкоэнергетическую архитектуру ядра и оптимизацию PDN, что позволило повысить энергоэффективность примерно на 40% по сравнению с предыдущим поколением. Дополнительно компания отметила улучшение теплового сопротивления примерно на 10% и повышение характеристик теплоотвода на 30%, подчеркнув значительное снижение энергопотребления дата-центров и затрат на охлаждение.

Samsung прогнозирует, что выручка от HBM в 2026 году увеличится более чем втрое по сравнению с 2025 годом, и уже расширяет производственные мощности.

Кроме того, компания планирует начать поставки образцов HBM4E во второй половине 2026 года, а в 2027 году — приступить к тестированию индивидуальных решений Custom HBM для запуска следующего поколения линейки.]]></news1>
<news2_title><![CDATA[]]></news2_title>
<news2><![CDATA[]]></news2>
<news3><![CDATA[]]></news3>
<news4_title><![CDATA[]]></news4_title>
<news4><![CDATA[]]></news4>
<news5_title><![CDATA[]]></news5_title>
<news5><![CDATA[]]></news5>
<news_epilog_info><![CDATA[]]></news_epilog_info>
<news_epilog_byline><![CDATA[By Youngsuk Kim(mechest586@nspna.com) and Bok-hyun Lee(bhlee2016@nspna.com)]]></news_epilog_byline>
<news_epilog><![CDATA[ⓒNSP News Agency·NSP TV. All rights reserved.]]></news_epilog>
<imageL><![CDATA[https://file.nspna.com/news/2026/02/12/20260212221934_802957_0.jpg]]></imageL>
<imageP><![CDATA[https://file.nspna.com/news/2026/02/12/photo_20260212221934_802957_0.jpg]]></imageP>
<image1><![CDATA[https://file.nspna.com/news/2026/02/12/20260212221934_802957_1.jpg]]></image1>
<image2><![CDATA[]]></image2>
<image3><![CDATA[]]></image3>
<image4><![CDATA[]]></image4>
<image5><![CDATA[]]></image5>
<image1_place><![CDATA[c]]></image1_place>
<image2_place><![CDATA[c]]></image2_place>
<image3_place><![CDATA[c]]></image3_place>
<image4_place><![CDATA[c]]></image4_place>
<image5_place><![CDATA[c]]></image5_place>
<image1_text><![CDATA[(Фото: Samsung Electronics)]]></image1_text>
<image2_text><![CDATA[]]></image2_text>
<image3_text><![CDATA[]]></image3_text>
<image4_text><![CDATA[]]></image4_text>
<image5_text><![CDATA[]]></image5_text>
<image1_source><![CDATA[]]></image1_source>
<image2_source><![CDATA[]]></image2_source>
<image3_source><![CDATA[]]></image3_source>
<image4_source><![CDATA[]]></image4_source>
<image5_source><![CDATA[]]></image5_source>
<vodSite><![CDATA[]]></vodSite>
<vodID><![CDATA[]]></vodID>
<vodTitle><![CDATA[]]></vodTitle>
<vodWidth><![CDATA[]]></vodWidth>
<vodHeight><![CDATA[]]></vodHeight>
<advertorial><![CDATA[]]></advertorial>
<location><![CDATA[Seoul]]></location>
<teamID>110</teamID>
<teamName><![CDATA[국제부]]></teamName>
<writerID>mechest586</writerID>
<writerName><![CDATA[Youngsuk Kim]]></writerName>
<writerTitle><![CDATA[Reporter]]></writerTitle>
<writerEmail><![CDATA[mechest586@nspna.com]]></writerEmail>
<writerID2>bhlee2016</writerID2>
<writerName2><![CDATA[Bok-hyun Lee]]></writerName2>
<writerTitle2><![CDATA[Reporter]]></writerTitle2>
<writerEmail2><![CDATA[bhlee2016@nspna.com]]></writerEmail2>
<writerID3></writerID3>
<writerName3><![CDATA[]]></writerName3>
<writerTitle3><![CDATA[]]></writerTitle3>
<writerEmail3><![CDATA[]]></writerEmail3>
</nspnews>
